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項(xiàng)目位于江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)，基礎(chǔ)建設(shè)投資3.5億美元。項(xiàng)目建成后，將引入年產(chǎn)126萬(wàn)片8英寸非存儲(chǔ)晶圓生產(chǎn)線，該項(xiàng)目的啟動(dòng)鞏固了無(wú)錫作為“國(guó)家南方微電子工業(yè)基地中心”地位，也進(jìn)一步奠定了無(wú)錫在全國(guó)集成電路領(lǐng)域的領(lǐng)先位置。

項(xiàng)目用地位于江蘇省無(wú)錫市新區(qū)長(zhǎng)江路以西、香山路以北，可建設(shè)用地面積約23898平方米。基地地形平坦，呈長(zhǎng)方形，南東約40度，南北方向約130米，東西方向約180米。東側(cè)為10米市政綠帶，同時(shí)東側(cè)規(guī)劃有城市地下軌道交通線及站點(diǎn)。長(zhǎng)江路寬46m，香山路寬14m，圍墻后退長(zhǎng)江路10m，后退香山路5m。沿長(zhǎng)江路、香山路可開(kāi)設(shè)機(jī)動(dòng)車出入口，且機(jī)動(dòng)車出入口距離道路交叉口距離不小于80m。距離東北側(cè)邊界約27m有軌道交通控制線，該范圍基地內(nèi)不得建造建筑物。各方向退界要求詳見(jiàn)總平面退界控制線。設(shè)計(jì)內(nèi)容：為二級(jí)綜合醫(yī)院分二次建設(shè)。本次建設(shè)44380平方米，包括一棟門急診醫(yī)技住院大樓（地上七層，地下一層）、地下車

本項(xiàng)目名稱為未來(lái)匯，主要建筑功能為商業(yè)、辦公等?？偨ㄖ娣e54288平方米，其中地上建筑面積38347平方米，地下建筑面積15941平方米。本工程設(shè)計(jì)標(biāo)高±0.000相當(dāng)于黃海高程68.660m，建筑物室內(nèi)外高差為0.15m，本工程地下三層為核6常6人防地下室

項(xiàng)目名稱：南通市唐閘古鎮(zhèn)—一八九五園區(qū)周邊建筑修繕改造項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)：南通市唐閘古鎮(zhèn)—一八九五園區(qū)周邊—北市街沿街本項(xiàng)目為北市街沿街原有清末木構(gòu)建筑（A-C號(hào)建筑）及建過(guò)以后按照前面式樣仿建的混凝土建筑（D、E號(hào)建筑）修繕。建筑包括北市街沿街A-E號(hào)建筑。主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：AB號(hào)建筑面積平方米709平方米，地上二層，建筑高度9.200米(入口地面至屋脊)，屋面防水等級(jí)二級(jí)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使用年限為50年，木結(jié)構(gòu)體系，抗震設(shè)防烈度7度。C號(hào)建筑面積平方米478平方米，地上二層，建筑高度9.310米(入口地面至屋脊)，屋面防水等級(jí)二級(jí)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使用年限為50年，木結(jié)構(gòu)體系，抗震設(shè)防烈度7度。

本項(xiàng)目位于無(wú)錫新吳區(qū)，是一家高科技集成電路芯片代工企業(yè)。華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司華虹無(wú)錫項(xiàng)目地點(diǎn)為：無(wú)錫市新吳區(qū)錫興路以東、新洲路以南、312國(guó)道以西地塊，本項(xiàng)目擬新建一條半導(dǎo)體生產(chǎn)線，主要從事非揮發(fā)性存儲(chǔ)器、先進(jìn)射頻技術(shù)、高端電源管理等相關(guān)超大規(guī)模集成電路芯片制造。

本工程位于徐州市云龍區(qū)城東大道以南，三環(huán)東路以東，地上建筑面積：約49622.65㎡， 地下一層建筑面積約：10025.50㎡，B1~4層為商業(yè)，5~6層局部為全自動(dòng)室內(nèi)停車，5~6層局部及6層以上為辦公（其中B1層局部設(shè)有配套設(shè)備用房）。建筑高度為：98.45米。建筑層數(shù)為地上20層。